SM10LZ47 THYRISTOR TRIODE BI-DIRECTIONNEL TOSHIBA TYPE PLANAIRE EN SILICIUM SM10LZ47 APPLICATIONS DE CONTRÔLE DE PUISSANCE CA Unité : mm l Tension de crête répétitive à l’état désactivé : VDRM = 800 V l Courant à l’état passant l RMS Commutation élevée (dv / dt) l Tension d’isolement : IT (RMS ) = 10 A : VISOL = 1 500 V CA NOMBRE MAXIMAL CARACTÉRISTIQUE Tension de crête à l’état désactivé RMS Courant à l’état passant (forme d’onde sinusoïdale complète) Courant à l’état passant de pointe à un cycle (non répétitif) I t Valeur limite Taux critique d’augmentation de l’état passant −Courant d’état (Remarque) Dissipation de puissance de grille de crête Dissipation de puissance de grille moyenne Tension de grille de crête Courant de grille de crête Température de jonction Plage de température de stockage Tension d’isolement (AC, t = 1 min.) 2 SYMBOLE VDRM IT (RMS) ITSM I t di / dt PGM PG (AV) VFGM IGM Tj Tstg VISOL 2 RATING 800 10 100 (50 Hz) 110 (60 Hz) 50 50 5 0,5 10 2 −40~125 −40~125 1500 UNITÉ VAAA s A / µs WWVA °C °CV 2 JEDEC JEITA TOSHIBA Poids: 1,7 g – – 13−10H1A Remarque: Condition de test DI / DT VDRM = 0,5 × nominal, ITM ≤ 15A, TGW ≥ 10µs, TGR ≤ 250NS, IGP = IGT × 2,0 1 2001-07-10 SM10LZ47 Caractéristiques électriques (TA (TA = 25°C) CARACTÉRISTIQUE Courant de crête à l’état bloqué I Tension de déclenchement de grille II III Courant de déclenchement de grille I II III Tension de crête à l’état passant Tension de non-déclenchement de grille Courant de maintien Résistance thermique Taux critique d’augmentation de la tension à l’état bloqué Taux critique de Augmentation de la tension à l’état bloqué à la commutation VTM VGD IH Rth (j−c) dv / dt (dv / dt) c ITM = 15 A VD = nominal, Tc = 125 °C VD = 12 V, ITM = 1 A Jonction au boîtier, AC VDRM = 600 V, Tj = 125 °C Montée exponentielle VDRM = 400 V, Tj = 125 °C (di / dt) c = − 5,5 A / ms IGT VD = 12 V, RL = 20 Ω VGT VD = 12 V, RL = 20 Ω SYMBOLE IDRM CONDITION DE TEST VDRM = Nominal T2 (+) , Porte (+) T2 (+) , Porte (−) T2 (−) , Porte (−) T2 (+) , Porte (+) T2 (+) , Porte (−) T2 (−) , Porte (−) MIN ― 0,2 ― ― ― 10 TYP. ― 300 ― MAX 20 1,5 1,5 1,5 30 30 30 1,5 ― 50 3,4 ― ― VV mA °C / WV / µs V / µs mA V UNITÉ µA NUMÉRO DE MARQUAGE *1 *2 SYMBOLE DE MARQUE DE PRODUIT TOSHIBA TYPE SM10LZ47 MARQUE M10LZ47 *3 Exemple 8A : janvier 1998 8B : février 1998 8L : décembre 1998 2 2001-07-10 SM10LZ47 RESTRICTIONS SUR L’UTILISATION DU PRODUIT 000707EAA · TOSHIBA s’efforce continuellement d’améliorer la qualité et la fiabilité de ses produits. Néanmoins, les dispositifs semi-conducteurs en général peuvent mal fonctionner ou tomber en panne en raison de leur sensibilité électrique inhérente et de leur vulnérabilité aux contraintes physiques. Il est de la responsabilité de l’acheteur, lors de l’utilisation des produits TOSHIBA, de respecter les normes de sécurité en créant une conception sûre pour l’ensemble du système et d’éviter les situations dans lesquelles un dysfonctionnement ou une défaillance de ces produits TOSHIBA pourrait entraîner la perte de vies humaines. , des dommages corporels ou matériels. Lors du développement de vos conceptions, assurez-vous que les produits TOSHIBA sont utilisés dans les plages de fonctionnement spécifiées, comme

APPLICATIONS DE CONTRÔLE DE PUISSANCE :
-Tension de crête répétitive à l’état désactivé VDRM = 800 V
-R.M.S. Courant à l’état : IT (RMS) = 10 A
-Commutation élevée (dv/dt)
-Tension d’isolement : VISOL=1500V AC

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