Le HGTG11N120CND est une conception IGBT sans perforation (NPT) . Il s’agit d’un nouveau membre de la famille des IGBT à commutation haute tension à commande MOS. Les IGBT combinent les meilleures caractéristiques des MOSFET et des transistors bipolaires. Ce dispositif présente la haute impédance d’entrée d’un MOSFET et la faible perte de conduction à l’état passant d’un transistor bipolaire. L’IGBT utilisé est du type de développement TA49291. La diode utilisée est
du type de développement TA49189.
• 43 A, 1 200 V, TC = 25 °C
• Capacité SOA de commutation 1 200 V
• Temps de chute typique. . . . . . . . . . . . . . . . 340 ns à TJ = 150 °C
• Indice de court-circuit
• Faible perte de conduction
Avis
Il n’y a pas encore d’avis.