Description
Grâce à la technologie innovante IGBT à tranchée d’arrêt de champ, ON Semiconductor
la nouvelle série d’IGBT à tranchée d’arrêt de champ offre des performances optimales pour les applications de commutation dure telles que les onduleurs solaires, les UPS,applications de soudeuse et de PFC.
Caractéristiques:
- Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif
- Commutation à grande vitesse
- Faible tension de saturation : VCE(sat)= 1,8 V @ IC= 40 A
- 100% des Pièces testées pour ILM (1)
- Impédance d’entrée élevée
- Ces appareils sont sans plomb et sont conformes à RoHS
Applications :
- Application onduleur solaire, soudeur, UPS et PFC.
Vous pouvez télécharger la fiche technique :
Avis
Il n’y a pas encore d’avis.