Description :
Les HEXFET de cinquième génération d’International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l’état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d’applications.
Le boîtier SOT-223 est conçu pour un montage en surface à l’aide de techniques de brasage en phase vapeur, infrarouge ou à la vague. Sa conception de boîtier unique permet un placement automatique facile comme avec d’autres boîtiers SOT ou SOIC, mais présente l’avantage supplémentaire d’améliorer les performances thermiques grâce à une languette élargie pour le dissipateur thermique. Une dissipation de puissance de 1,0 W est possible dans une application typique de montage en surface
Caractéristiques :
- Montage en surface
- Cote dynamique dv/dt
- Commutation rapide
- Facilité de mise en parallèle
- Technologie de processus avancée
- Résistance à l’activation ultra faible
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