Caractéristiques :
• Technologie IGBT à tranchée à faible VCE (ON)
• Faibles pertes de commutation
• RBSOA carré
• 100 % des pièces testées pour l’ILM
• Coefficient de température VCE (ON) positif
• Diode co-pak à récupération douce ultra rapide
• Répartition serrée des paramètres
• Avantages du sans plomb
:
• Rendement élevé dans une large gamme d’applications
• Adapté à une large gamme de fréquences de commutation grâce au faible VCE (ON) et aux faibles pertes de commutation
• Performances transitoires robustes pour une fiabilité accrue
• Excellent partage de courant en fonctionnement parallèle
Applications :
• UPS
• Soudage
• Onduleur solaire
• Chauffage par induction
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