Description :
Ce transistor à effet de champ de puissance à grille de silicium en mode d’amélioration à canal N est un MOSFET de puissance avancé conçu, testé et garanti pour résister à un niveau d’énergie spécifié en mode de fonctionnement avalanche de claquage. Tous ces MOSFET de puissance sont conçus pour des applications telles que les régulateurs à découpage, les convertisseurs de commutation, les pilotes de moteur, les pilotes de relais et les pilotes de transistors de commutation bipolaires haute puissance nécessitant une vitesse élevée et une faible puissance de commande de grille. Ces types peuvent être exploités directement à partir de circuits intégrés. Anciennement type de développement TA17422.
Caractéristiques :
• 20 A, 200 V
• rDS(ON) = 0,180 Ω
• Évaluation de l’énergie par avalanche à impulsion unique
• SOA est une dissipation de puissance limitée
• Vitesses de commutation en nanosecondes
• Caractéristiques de transfert linéaire
• Impédance d’entrée élevée
• Littérature connexe – TB334 « Directives pour le soudage des composants à montage en surface aux cartes PC »
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