Caractéristique
• Faible résistance drain-source ON : RDS (ON) = 1,0 Ω (typ.)
• Admittance de transfert directe élevée : ⎪Yfs⎪ = 7,0 S (typ.)
• Faible courant de fuite : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
• Modèle amélioré : Vth = 2,0 à 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
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