- Faible tension de saturation collecteur-émetteur V CE(sat) = 1,37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
- Diode de récupération rapide intégrée dans un seul emballage
- Technologie de porte de tranchée et de tranches minces
- Commutation haute vitesse tr= 85 ns typ. (à IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5R, Ta = 25°C, charge inductive)
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