ONDULEURS À TRANSISTOR
POUR CLIMATISEUR
IGBT GATE DRIVE
PUISSANCE MOS FET GATE DRIVE
Le TOSHIBA TLP250(INV) se compose d’une diode électroluminescente GaAlAs et d’un photodétecteur intégré.
Cette unité est un DIP à 8 dérivations.
Le TLP250 (INV) convient au circuit de commande de grille IGBT ou MOS FET de puissance.
● Courant de seuil d’entrée : IF=5 mA(MAX)
● Courant d’alimentation (ICC) : 11 mA (MAX)
● Tension d’alimentation (VCC) : 10 ~ 35 V
● Courant de sortie (IO) : ± 2,0 A (MAX)
● Temps de commutation (tpLH /tpHL) : 0,5µs(MAX)
● Tension d’isolement : 2 500 Vrms
● Reconnu UL : UL1577, fichier n° E67349
● Option (D4)
Approuvé VDE : DIN VDE0884/06.92 Certificat n° 76823
Tension d’isolation de fonctionnement maximale : 630 VPK
Surtension la plus élevée autorisée : 4000VPK
(Remarque) : Lorsqu’un type approuvé VDE0884 est nécessaire,
veuillez désigner l’« Option (D4) »
● Distance dans l’air : 6,4 mm (MIN)
Dégagement : 6,4 mm (MIN)
Vous pouvez télécharger la fiche technique :
Cliquez ici
Avis
Il n’y a pas encore d’avis.